（a-b）扣除背景前后石墨炔的吸收光谱；
（c）HEB单体和GDY片的紫外吸收光谱；
（d）理论预测的拉曼光谱；
（e）铜箔上三个不同位置生长的GDY的拉曼光谱；
（f）GR和GDY/GR的拉曼光谱以及预测的GDY的拉曼光谱；
（g）石墨炔中不同的拉曼振动模式；
（h）GDY的XAS图谱；
（i）GDY的C1s XPS光谱。

（a）不同TM原子吸附的GY和GDY的磁矩（M）和自旋极化能，ΔEspin；
（b）不同TM原子吸附的GY和GDY的磁性。

（a）表面辅助的分子间σ-键复分解反应；
（b）表面辅助Glaser偶联反应；
（c）表面辅助的脱卤偶联反应；
（d）HEB单体在Ag（111）上的自组装结构；
（e）分子3的分子间表面σ-键复分解产物的自组装;
（f）Glaser聚合物3上的高分辨率STM图像；
（g）由9生成的C-C偶联网络的高分辨率STM图像；
（h）4的低聚反应的高分辨率STM图像；
（i）由5产生的C-C偶联网络的高分辨率STM图像；
（j）三亚苯基丁二炔丝的模型图像和高分辨率STM图像。

（a）通过使用HEB作为前体，通过CVD工艺在Ag箔上生长GDY的示意图；
（b）生长的GDY膜的AFM图像（厚度：0.6 nm）；
（c）通过CVD方法生长的GDY膜的TEM图像和相应的SAED图案；
（d）生长的十层GDY的拉曼光谱；
（e）生长的GDY的高分辨率不对称C 1s XPS光谱；
（f）自上而下法制备少层GDY薄膜；
（g）通过自上而下方法（厚度：22nm）生长的GDY膜的AFM图像；
（h）生长的GDY膜的HRTEM图像。

（a）爆炸方法的示意图；
（b-d）具有不同形态的GDY粉末的SEM图像：b，GDY纳米带；c，GDY纳米链；d，3D GDY骨架；
（e）所制备的GDY的拉曼光谱：蓝线表示纳米链; 红线，3D框架; 和黑线，纳米带。

（a）GDY；（b）β-石墨双炔；（c）γ-石墨单炔。

（a）末端炔烃的Glaser偶联反应；
（b）带TMS保护基的炔烃偶联偶反应。

（a）Glaser-Hay反应的机制；
（b）Eglinton反应的机制。

（a）使用Cu箔上的原位Glaser偶联反应合成GDY膜；
制备得到的GDY薄膜的（b）SEM和（c）AFM图像；
（d）GDY薄膜的I-V曲线；
（e）通过Liu方法制备的GDY纳米墙的SEM图像；
（f）从GDY纳米墙上剥离下来的纳米片的的AFM图像；
（g）用Liu方法制备的GDY样品的HRTEM图像。

通过（a）Cu信封催化的策略或（b）控释铜催化剂的方法在任意基底上合成GDY；
通过Cu铜信封催化生长GDY纳米墙后的典型SEM图像：（c）一维硅纳米线，（d）二维Au箔和（e）三维石墨烯泡沫。

（a）示意图和（b）在液-液界面上合成GDY膜的照片；
（c）所制备的GDY膜的AFM图像；
（d）所制备的GDY膜的SAED图案，显示出高的结晶度；
（e）气液界面法示意图；
（f）所制备的GDY纳米片的AFM图像；
（g）来自2D掠入射广角X射线散射图案的对角线和水平图。

（a）合成方法的示意图；
（b）用于GDY生长的Eglinton偶联反应过程；
（c）在GR上生长的GDY膜的光学图像；
（d）制备的GDY/GR膜的AFM图像；
（e）所制备的GDY/GR膜的SAED图案。

（a）掺杂杂原子的GDY的合成；
（b）GDY粉末和（c）制备的N和F共掺杂GDY粉末（NFGD）的TEM图像；
（d）SEM图像和（e）NFGD的EDS元素mapping图像；
（f）GDY和GDYO的化学结构。

（a）通过GDY分离H₂的示意图；
（b）施加额外的力可以减少穿过GDY膜的能量需求，从而可以在临界力水平下进行选择性过滤；
（c）由H，F和O修饰的GDY膜可分别分离CO₂/N₂/CH₄混合物。

（a）通过P25/GDY作为催化剂的亚甲基蓝（MB）的光催化降解的示意图；
（b）在可见光照射下通过P25，P25/CNT，P25/GR和P25/GDY的MB的光降解图；
（c）用于PEC水分解电池的GDY光阴极的制备方法和催化机理；
（d）基于GDY光电阴极的线性扫描伏安法（LSV）扫描；
（e）在测试12小时期间，对所制备的基于GDY的光电阴极进行恒电位电解。

（a）用于高效HER的CoNC/GDY电极和（b）用于高效OER的GDY负载的钴纳米颗粒电极的示意图；
（c）N掺杂GDY中的各种N物种；
（d）所制备的N-GDY和Pt/C的Tafel图，其中b表示塔菲尔斜率的值。

（a）在GDY的一侧和两侧吸附Li原子的优化构型的顶视图和侧视图；
（b）GDY合成和LIB制备过程的示意图；
（c）在500mA/g的电流密度下，所制备的GDY电极的循环性能;
（d）应用新的碳烯（β-GDY）的化学结构和（e）相应的计算的能带结构;
（f）N-掺杂的示意图，N-掺杂是改善GDY材料的电化学性能的有效方式；
（g）制备的GDY和N-GDY电极在电流密度为2A/g时的循环性能。