有机合成化学中，通过选择性地断裂芳胺酰胺中N端芳基，可以得到更高价值的合成砌块，发展此方法还可以拓展芳基作为保护基使用。但是因为芳胺酰胺中的芳基C—N键解离能（104 kcal/mol）高于羰基C—N键（95kcal/mol），致使酰胺受到亲核试剂进攻时（如酰胺的水解）总是羰基C—N键先于芳基C—N键断裂。已有文献报道的芳基C—N键断裂反应需要通过Ni催化剂、CAN（硝酸铈铵）实现，或者是局限于特定底物，如芳基肼或二甲胺芳基化合物：
近期，河南师范大学张志国等人（J.Org. Chem.,2018,83,1369–1376）发现在HFIP/H2O (HFIP：六氟异丙醇) 混合溶剂中，使用IBX室温下即可高选择性地氧化断裂芳基C—N键，极大地拓展了此类反应的应用范围，且反应条件温和，试剂易得，无重金属参与，底物适用性广（图1）。
图1 底物适用性研究
作者以良好的收率合成了一系列使用其他方法不易制备的伯酰胺（图2）。
图2 断裂芳基C—N键的应用
手性原料(S)-1m’在该条件下可以以69%的转化率，81%的收率得到手性中心不受影响的产物(S)-2m’。
结合机理研究及文献报道，作者推测反应的机理如下：
