陕西科技大学刘晓旭教授/清华大学党智敏教授AM:聚合物电介质中新型“金属离子有机杂化界面”构筑

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在电介质储能领域中,聚合物与无机填料之间的界面被认为是影响聚合物基复合电介质性能的最关键因素之一。目前主流的界面设计策略主要包括设计具有高绝缘能力的无机组分界面层(如氧化铝、氧化硅)或有机组分界面层设计(如油酸、硅烷偶联剂),然而能有效提升聚合物基电介质性能的新型界面结构设计策略不足。

陕西科技大学刘晓旭教授团队联合清华大学党智敏教授团队合作成功开发了一种具有原子级匹配的新型“金属离子有机杂化界面”,球差矫正的STEM与同步辐射等各种表征证明,该界面中的Zn2+与无机填料静电相互作用;同时与聚合物分子链实现尾端氨基配位相互作用,实现了填料与聚合物之间的完美界面匹配。含该界面的聚合物基电介质在充电-放电效率于90%时、环境温度分别为25℃和150℃,其放电能量密度达到分别为9.42 J cm-3和4.75 J cm-3,比常规聚合物基电介质性能有了大幅提升,且证明了该策略具有一定的普适性。该研究为聚合物基复合电介质的界面结构设计提供了新的思路。这一研究成果以“Atomic‐Level Matching Metal‐Ion Organic Hybrid Interface to Enhance Energy Storage of Polymer‐Based Composite Dielectrics”为题发表在《Advanced Materials》上。

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该项研究中,铌酸钙(CNO)和金属有机框架(MOF)的化学匹配主要依赖于电负性CNO和金属离子Zn2+之间的静电吸附。如图1g所示,由于层间质子的缺失,CNO纳米片的表面存在不饱和氧,呈现均匀的强烈电负性,可以在CNO表面吸附Zn2+,并以被吸附的Zn2+为成核位点生长MOF。CNO和MOF之间存在化学键作用(XPS O1s在532.4 eV出现NbO6与Zn2+的化学键吸收峰),CNO和MOF之间的过渡界面被小角度X射线散射(SAXS)得到的Porod曲线所证实。这些结果证实了MOF层与无机填料之间的键合匹配作用。

不仅如此,在CNO表面生长的MOF具有多孔结构,这为MOF和聚酰亚胺(PI)基体提供了反应空间。PI分子链得以在多孔的MOF中穿插并与Zn2+发生尾端氨基替位作用,从而同时实现MOF与无机填料和聚合物的匹配。通过同步辐射纳米成像(nano-CT)、球差电镜-明场像、密度泛函理论(DFT)、同步辐射吸收谱(XAFS)、SAXS等证实了CNO和PI之间致密、无孔隙的填料-基体界面,该界面称为金属离子有机杂化界面(MOHI)。进一步通过红外官能团分析证实了MOF和PI之间发生的尾端氨基替位作用。

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图1. a) CNO 和 b) CNO@MOF的高分辨率TEM图像。c) CNO@MOF的元素图谱。d) CNO、ZIF-8(一种典型的MOF)和CNO@MOF的XRD图谱。e) CNO和CNO@MOF的XPS O 1s精细光谱。f) CNO和CNO@MOF的Porod曲线。g) MOHI设计过程示意图。

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图2. a) 纯PI和1.0wt% CNO@MOF/PI的三维(3D)重建图像。b) 1.0wt% CNO@MOF/PI暗场图像和元素映射图谱。c) 1.0wt% CNO@MOF/PI ABF-STEM图像。d) 纯PI和CNO@MOF/PIFT-IR结果。e) 纯PI和1.0wt% CNO@MOF/PI的动态力学分析。f) 纯PI和1.0wt% CNO@MOF/PI的双对数曲线。

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图3. a) 吸附了CNO的MOF单元(2-MiM-Zn-2-MiM)的电子密度分布和MOHI的示意图。b) 2-MiM-Zn-2-MiM在吸附 CNO前后的Bader 电荷数和TDOS(总态密度)。d) Zn元素的归一化K边XANES吸收光谱。e) R空间的K边EXAFS。f1), f2) CNO@MOF和CNO@MOF/PI的小波变换分析。

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图4. a) 各组分复合材料εr和Tanδ的频率依赖性。b) PI、1.0 wt% CNO/PI 和 1.0 wt% CNO@MOF/PI 的εr和Tanδ的比较。c) 纯PI和1.0 wt% CNO@MOF/PI在103 Hz时的εr和Tanδ的温度依赖性。d) 25°C时的泄漏电流;e) 25°C时的击穿强度;f) 25°C时的储能性能;g) 150°C时的储能性能。h) 纯PI和1.0 wt% CNO@MOF/PI在150°C和300kV·mm-1下的循环稳定性。i) 150°C下不同电极直径的1.0 wt% CNO@MOF/PI的储能性能。

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图5. a1) 纯PI、a2) 1.0 wt% CNO/PI 和 a3) 1.0 wt% CNO@MOF/PI的动态电场传播路径。b1) 纯PI、b2) 1.0 wt% CNO/PI 和 b3) 1.0 wt% CNO@MOF/PI的电场分布。


文章链接
https://doi.org/10.1002/adma.202402239
来源:高分子科学前沿



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