有机发光二极管（OLED）凭借其低能耗、高亮度和柔性等优点备受关注。在OLED中，传输材料在决定驱动电压、外量子效率和功率效率等方面均具有至关重要的作用。然而，目前学术界广泛使用的电子传输材料大都存在玻璃态转化温度（T_g）过低的问题，显著影响器件工作稳定性。因此开发具有高T_g值和高电子迁移率（μ_e）的电子传输材料具有重要的研究和产业化意义。

四川大学游劲松教授、宾正杨副研究员团队通过对广泛使用的电子传输材料4,7-二苯基-1,10-邻菲啰啉（BPhen）的单晶结构进行深入分析，揭示了其存在较弱的分子间C−H•••π相互作用，可能促使分子滑动而产生聚集现象，最终导致材料较低的T_g值（62 ℃）。据此，课题组提出了“三维分子相互作用”策略来改善材料的T_g值。作者将1,10-邻菲啰啉骨架中的分散的两个氮原子聚集，一方面增强其缺电性，降低最低未占据轨道能级，有利于提高电子的注入效率；另一方面，两个氮原子的孤对电子由向内转变为向外朝向，有利于增强分子间氢键相互作用。因此，作者设计了一类非传统的苯并噌啉结构，并以铑催化的氧化C−H/C−H自偶联反应为关键步骤，成功构筑了以苯并噌啉为母核的新型电子传输材料2,9-二苯基苯并噌啉（DPBZC）。单晶结构显示其存在高度有序的三维分子相互作用，包含二维网状氢键相互作用和一维π-π相互作用。在x-和y-轴方向，DPBZC的氢键长度略短于BPhen的氢键长度，因此DPBZC拥有比BPhen更强的分子间氢键相互作用；在z-轴方向，DPBZC展现出面对面的堆积模式，拥有比BPhen更强的分子间π-π相互作用。因此，高度有序的三维分子相互作用赋予了DPBZC极高的T_g值，其达到218 ℃，远高于BPhen等常用电子传输材料，并且也赋予了其较高的μ_e值，达到6.4 × 10^-4 cm²/V s。

为了进一步探索其在OLED中的应用，作者制备了以DPBZC为电子传输材料的超敏荧光OLED（TSF-OLED），器件测试结果表明基于DPBZC的OLED展现出了优于其他传统电子传输材料的器件性能和稳定性，其最大外量子效率达到了20.1%，最大功率效率为70.6 lm/W。此外，纯薄膜的形貌学稳定性测试同样表明DPBZC相比BPhen具有更好的热稳定性。该工作不仅展示了“三维分子相互作用”策略在设计高性能电子传输材料方面的实用价值，同时再次体现了C−H键活化在构筑结构非传统的OLED材料方面的优势。